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Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻 - 基地(R1)(欧姆) | 2.2k |
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) | 47k |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 68 @ 5mA, 5V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 500µA, 10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
频率转换 | 200MHz |
功率 - 最大 | 300mW |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased |
频率 - 转换 | 200MHz |
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) | 2.2k |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 500µA, 10mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
封装 | Bulk |
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) | 47k |
功率 - 最大 | 300mW |
标准包装 | 1,000 |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
安装类型 | Through Hole |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 68 @ 5mA, 5V |
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